Investigadores del MIT informaron el 3 de agosto de 2026 en Nature Nanotechnology sobre una técnica de fabricación en dos pasos para integrar materiales moleculares delicados en dispositivos electrónicos. Primero fabrican los componentes con procesos convencionales de semiconductores y después incorporan las moléculas, usando fuerzas de superficie a escala nanométrica para que el dispositivo se autoensamble sin dañarlas.

El equipo, dirigido por Farnaz Niroui, profesora asociada de ingeniería eléctrica e informática del MIT, demostró el método fabricando más de 1.000 dispositivos con capas moleculares de menos de 1 nanómetro de espesor. Según el comunicado del MIT, los chips presentaron un rendimiento promedio del 96 % de dispositivos funcionales y resistieron decenas de miles de ciclos eléctricos sin signos de degradación. También construyeron una matriz interconectada de dispositivos de memoria molecular.

Los autores señalan que la técnica podría extenderse a otros materiales y arquitecturas, y que en el futuro buscan desarrollar nuevas clases de dispositivos de computación y sensórica. La investigación recibió financiamiento parcial de DARPA, la Semiconductor Research Corporation, NSF, la MathWorks Fellowship y la organización neerlandesa de investigación científica.