Investigadores do MIT apresentaram uma técnica de fabrico escalável para incorporar materiais moleculares frágeis em dispositivos eletrónicos sem os danificar, segundo um artigo publicado a 3 de agosto de 2026 na Nature Nanotechnology. O método separa o processo em duas etapas: primeiro, os componentes do dispositivo são fabricados com processos convencionais de semicondutores; só depois as moléculas são introduzidas, evitando a exposição aos químicos agressivos que degradam estes materiais.

No centro da abordagem estão forças à nanoescala. Após a deposição da camada molecular sobre elétrodos metálicos, a força capilar, durante a evaporação da solução, aproxima suavemente as superfícies metálicas, enquanto as forças de van der Waals mantêm os elétrodos estáveis sem danificar as moléculas. A equipa, liderada por Farnaz Niroui, professora associada de engenharia eletrotécnica e informática, fabricou mais de 1.000 dispositivos com camadas moleculares com menos de um nanómetro de espessura, obtendo em média 96% de dispositivos funcionais. Os dispositivos resistiram a dezenas de milhares de ciclos elétricos sem sinais de degradação.

Os autores demonstraram ainda uma matriz interligada de dispositivos de memória molecular e defendem que a técnica pode ser alargada a outros materiais e arquiteturas. Os investigadores referem, como trabalho futuro, o desenvolvimento de novas classes de dispositivos multifuncionais para computação e deteção. O estudo foi parcialmente financiado pela DARPA, pela Semiconductor Research Corporation, pela NSF, pela MathWorks Fellowship e pela organização neerlandesa de investigação científica.